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Graphenea石墨烯场效应晶体管芯片S20

石墨烯场效应晶体管芯片S20

·生长方法：CVD合成
·聚合物辅助转移
·芯片尺寸：10 mm x 10 mm
·切屑厚度：675μm
·每个芯片的GFET数量：12
·栅极氧化物厚度：90 nm
·栅极氧化物材料：SiO2
·衬底电阻率：1-10Ω.cm
·金属化：Au触点
·石墨烯场效应迁移率：>1000 cm2/V.s
·封装：50 nm Al2O3
·狄拉克点（背栅）：±2V
·狄拉克点（液体门控）：<1V
·最小工作装置：>75%
·最大栅源电压：±2V
·最高额定温度：150°C
·最大漏源电流密度：107A.cm-2

价格：4800元/片

jc@jcno.net
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